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漫谈基于密度泛函理论的材料模拟与设计(崔相远研究员, 悉尼大学微结构分析研究所)
发布时间: 2019-12-19 浏览次数: 15

【报告题目一】漫谈基于密度泛函理论的材料模拟与设计

【报告时间】 1223日上午9:00 — 10:10

【报告题目二】半导体材料中的点缺陷和界面磁性材料

【报告时间】 1223日上午10:20 — 11:30

【报告人】崔相远 研究员,悉尼大学微结构分析研究所

【地点】29#-414

【报告摘要】

随着计算机技术和数值方法的发展,基于密度泛函理论的数值模拟在物理,化学,材料,生物等领域起到越来越重要的角色。在简单介绍密度泛函理论(DFT)的起源及发展后,作者将基于本身多年的研究经历,将重点介绍其在材料物理方面的应用,包括零维(分子与团簇)、一维(纳米线的光学和力学性能)、二维(表面磁性与二维材料的输运性能)及其三维(半导体掺杂及其合金设计)。

【报告人简介】

崔相远,澳大利亚悉尼大学微结构分析研究所高级研究员,1999年硕士毕业于中国科技大学物理系,2003年博士毕业于英国赛福大学焦耳物理实验室,2004-2009年间澳大利亚悉尼大学从事博士后研究研究,2010年至今为悉尼大学微结构分析研究所研究员。崔教授主要从事基于第一性原理的多尺度计算材料和计算物理研究,特别是在界面物理、半导体以及缺陷物理、二维材料等领域取得了一系列开创性的成果,迄今在Phys. Rev. Lett. Phys. Rev. BAppl. Phys. Lett.等国际权威期刊上发表SCI论文90余篇,为国际知名期刊《Materials Science in Semiconductor Processing》的编辑。


听众对象面向本科生及研究生

邀请人: 林机 教授